IoT RAM and AI Memory enhance IoT around your life.

體驗、便利的智能化生活

智能化生活逐漸普及。愛普科技針對各種智能應用設備，設計、開發客製化記憶體，運用在各種創新產品中，改善著人們每一天的生活。

加快實現您的理想

微處理器中的緩衝記憶體可賦予設備感知、思考、與自動執行命令的能力。愛普科技幫助設備升級、加速、智能化，讓您的理念在現實生活中實現。

輕、薄、小
穿戴式世界

愛普科技的客製化IoT RAM記憶體為了穿載式裝置做得更加輕薄短小，但效能與省電的功能卻更強大，給予更優異的系統功能，豐富穿載裝置更多元的功能。

突破您想像的限制

愛普科技以多年的研發、設計經驗，已協助多個客戶實現理想，得以推出創新、改變世界的產品。客製化的記憶體不單單讓產品與競爭者區隔開來，更為客戶帶來獨特的競爭優勢。

各種應用

愛普科技是客製化記憶體供應商，針對客戶的各種應用與特殊需求，設計、優化，使客戶可以輕易的凸顯自己的產品特色，保持競爭優勢。

克服萬難、征服更遠大的目標

身為多年以來的高品質、高效能中低容量客製化記憶體領導品牌，愛普科技總能以努力不懈的精神、創新思維來突破科技門檻、改變並豐富人們的生活方式。

Application sPecific Memory

將您的生活與全世界無縫接軌

智能語音

智能影像

品質

符合並通過國際標準
ISO9001:2015

成本

最優化的成本考量

效能

客製化設計，帶給客戶最適切、最精良的產品

功耗

特殊設計Half Sleep(半休眠)
功能以延長產品使用時間

公司最新動態

愛普科技獨立董事異動公告

本公司（6531 TW）今日（21）發佈二則重大訊息，一為獨立董事葉瑞斌先生向本公司提出辭任書，請辭公司獨立董事、審計委員會及薪酬委員會委員，另一為法人董事-山一投資有限公司法人代表改由葉瑞斌先生擔任。葉瑞斌先生自民國106年起擔任本公司獨立董事至今，期間亦擔任本公司審計委員會委員、薪酬委員會委員，另自民國110年8月起擔任此二功能性委員會召集人。任職期間葉瑞斌先生以獨立董事身分，對於愛普科技的發展策略、經營方針、公司治理等各方面，客觀地提出諸多卓越前瞻的建議及提醒，讓公司受益良多，實屬功高望重。近日愛普關聯企業積極邀請葉瑞斌先生出任營運職位，葉先生一直以來對於愛普集團的發展策略及企業文化深感認同，在幾經斟酌後，葉先生決定於參與關聯企業實質營運前，先行辭任本公司之獨立董事；同時，葉先生並將應本公司法人董事-山一投資有限公司之邀，轉換身分出任其法人董事代表，以其專業能力與豐富經歷，持續為愛普提供寶貴的建議，指導經營管理團隊，在未來產業的佈局提供專業指引。於葉瑞斌先生辭任獨立董事後，本公司目前為三席獨立董事：劉容西先生、王瑄女士及孫又文女士，三位獨董仍將持續秉持公司治理的精神，督導公司合規自律，俾協助公司能永續營運、進步成長；於此同時，為強化董事會結構，本公司規劃在不久的未來盡快完成獨立董事的補選，以保障全體股東及利害關係人權益，推動公司長期的成功。…

10/21/2024

愛普科技與Mobiveil攜手開發UHS PSRAM控制器，提供SoC業者全新解決方案

愛普 UHS PSRAM擁有更強性能、低功耗、少引腳數特點，瞄準物聯網應用場景全球客製化記憶體解決方案設計公司愛普科技與矽智慧財產權（SIP）、平台與IP設計服務供應商Mobiveil今日宣布，已成功開發出專屬愛普的Ultra High Speed (UHS) PSRAM的IP控制器，為SoC業者提供一個更高性能、更低功耗的全新選擇。 Mobiveil結合愛普UHS PSRAM記憶體超高頻寬和少引腳數的產品優勢，為控制器和UHS PSRAM設計全新介面，優化SOC整體性能；對於有尺寸限制的IoT產品應用，提供更簡易的設計，加速上市時間。Mobiveil 的首席營運長 Gopa Periyadan 表示，結合 Mobiveil 的IP控制器與愛普的 UHS PSRAM，將為邊緣運算、智能家居、可穿戴裝置、顯示器、數據連網設備和通訊等應用場景提供更低功耗以及高性能的解決方案。 …

06/07/2024

愛普高電容密度矽電容S-SiCap Gen3^TM通過客戶驗證

全球客製化記憶體解決方案設計公司愛普科技今日宣布，新一代矽電容(S-SiCapTM, Stack Silicon Capacitor) Gen3已通過客戶驗證，此產品具備超高電容密度及超薄(<100um薄度)等優勢，可在先進封裝製程中與系統單晶片(SoC)進行彈性客製化整合，滿足客戶在高階手機及高效能運算(HPC)晶片的應用需求。愛普科技的S-SiCapTM使用先進的堆疊式電容技術(Stack Capacitor)開發，相比傳統深溝式電容技術(Deep Trench Capacitor)的電容密度更高、體積更小更薄，且具有極佳的溫度與電壓穩定性。S-SiCapTM Gen3的電容值密度可達2.5uF/mm2，操作電壓最高可支援1.2V，同時具有相當低的等效串聯電感(Equivalent Series Inductance)及等效串聯電阻(Equivalent Series Resistance)，在高頻操作下能提供優異的穩壓能力。 S-SiCapTM具有超薄、客製化尺寸的特色，在先進封裝製程中，能滿足多樣整合應用並且與SoC更接近。例如：接腳側矽電容(S-SiCapTM on the landside)、封裝基板內埋矽電容(S-SiCapTM embedded in package substrate)、2.5D封裝應用矽電容(S-SiCapTM…

03/21/2024